2021年，荷兰光刻机巨子ASML的高管在一次采访中撂下狠话：“假如美方彻底制止向我国出口光刻机，我国最多三年就会自己造出来。”这句话看似“捧杀”，实则带着几分高傲——究竟，光刻机被称为“人类工业皇冠上的明珠”，全球能造的国家一只手数得过来。但四年后的今日，我国用实际行动回应了这句预言：从自研DUV光刻机落地，到中科院打破固态深紫外激光技能，咱们的确“造出来了”，并且还在持续扯开技能封闭的口儿。
时刻倒回2021年，美方对我国半导体工业的镇压进入白热化阶段。除了制止台积电、三星为华为代工芯片，还施压ASML制止向我国出口最先进的EUV光刻机。其时，ASML的CEO揭穿表明：“彻底断供只会加快我自主研制，我国迟早会把握技能。”这句话的布景很实际——我国每年进口芯片花费超越3000亿美元，而光刻机是芯片制作的命脉。
但ASML的“预言”更像是一种商业博弈，他们笃定我国短期内造不出高端光刻机，究竟全球最先进的EUV光刻机由ASML独家独占，单台价格超1.5亿美元，零件超越10万个，触及5000多家供货商。但是，他们轻视了我国被逼到墙角后的爆发力。
这四年间，我国半导体工业上演了一场“绝地求生”：一边顶着美方的技能封闭，用“拆零件、搞代替”的土办法保持现有生产线工作；另一边会集资源猛攻光刻机中心技能。而成果证明，ASML的预言正在成真——虽然咱们还没追上EUV，但在DUV光刻机范畴，我国的确杀出了一条路。
二、国产DUV光刻机落地：从“能用”到“线月，工信部发布了首款国产193nm氟化氩（ArF）光刻机。这台光刻机的分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，看似落后于ASML的7nm EUV光刻机，但它有两个重要含义：榜首，这是我国榜首台自主可控的DUV干式光刻机；第二，它打破了美方在光源技能上的独占。
要知道，DUV光刻机的中心是193nm波长的光源，曩昔这类光源的专利和技能被美方Cymer公司（2013年被ASML收买）牢牢操控。我国若想自研，有必要绕过Cymer的专利墙。而我国193nm光源的打破，正是经过自主研制氟化氩激光器，完结了光源的国产代替。虽然初期良率和安稳才能还无法比肩ASML，但至少证明了一点：没有美方的零部件，咱们也能造出DUV光刻机。
假如说上海微电子的DUV光刻机是“破冰”，那么中科院最近的打破便是“补刀”。2025年3月下旬，中科院发布固态深紫外激光技能，相同完结193nm波长输出。这项技能的含义不亚于光刻机整机打破，由于它处理了两个丧命问题：
现在，这项技能已完结实验室验证，正在与国内光刻机厂商协作推动工程化。一旦量产，我国将具有两种不同技能道路nm光源，相当于给国产DUV光刻机上了“双保险”。
虽然ASML的预言成真，但咱们仍需清醒：国产DUV光刻机理论上仅支撑65nm制程，间隔ASML的7nm EUV光刻机还有代际距离。但至少，这四年证明了一件事：我国半导体工业不怕封闭，反而越封闭越强。从DUV光刻机自研，到固态光源打破，每一步都在打破“造不如买”的魔咒。ASML的预言，咱们绝大多数都是做到了。
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